金環(huán)宇電纜:同軸電纜的屏蔽衰減因素
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來源:金環(huán)宇電纜發(fā)布日期:2020-04-21 10:16
物理發(fā)泡聚乙烯同軸電纜的屏蔽衰減主要取決以下幾個因素:
1:鋁箔搭接寬度不少于5mm。
2:鋁層厚度建議提高到15µm以上,甚至可以更高到30µm。
3:合理安排衰減,回波,屏蔽的關(guān)系,前者和后2者相互矛盾,在衰減合格條件下合理降低發(fā)泡度,對提高屏蔽效果和回波都有利。
4:鋁箔質(zhì)量要好,尤其柔韌性好,經(jīng)過各種彎曲而無裂紋。
5:編織的縱包工藝要提高,以免帶子中間褶皺,形成縫隙或者減少了搭接寬度,引起泄露。
6:合理的編織密度。高密度對屏蔽有少許補償,但是如果編織密度過高,在高頻時,大密度編織電纜使得“邊頻差值”增大,從而放大補償?shù)碾y度加大,對電纜性能產(chǎn)生影響。一般40%即可。
7:電纜的敷設(shè)過程要避免在小孔或者狹縫中強拉,使鋁箔產(chǎn)生裂紋或斷裂。